SK海力士ADR预计7月10日交易 美股史上最大海外公司上市案。全球第二大存储芯片制造商、HBM市场绝对龙头SK海力士将于7月10日正式登陆纳斯达克。此次ADR发行规模约280亿美元股票配资在线,创下美国史上最大规模海外公司上市纪录。公司以每份ADR约166美元的定价向全球投资者开放了此前“几乎不可触及”的AI存储赛道核心标的。目前ADR已获数倍超额认购,基石投资者锁定意向高达70亿美元。
SK海力士正处于业绩爆发式增长期:2026年第一季度营收52.58万亿韩元(+198%),营业利润率高达72%。第二季度营业利润预计达60-70万亿韩元,再度刷新历史纪录。公司在HBM市场以58%的份额稳居第一,且HBM占DRAM营收比重预计将从2026年的15%跃升至2030年的58%。

当前估值仅以未来12个月预期市盈率6.2倍交易,远低于美光——“韩国折价”现象明显。ADR上市有望推动SK海力士完成估值重估,向美光等美国同业靠拢。汇丰预计挂牌后仍有约20%上行空间,瑞银给出320万韩元目标价,交银国际上调至350万韩元,大和更给出360万韩元目标价。

SK海力士的历史可追溯至1983年成立的现代电子产业株式会社。1999年与现代半导体合并后更名为海力士半导体,2012年被SK集团收购后更名为SK海力士。业务结构上,SK海力士是全球第二大DRAM制造商和HBM市场的绝对领导者。主要产品线包括DRAM和NAND Flash。据Counterpoint Research数据,2026年第一季度全球DRAM市场按营收计,三星以38%居首,SK海力士以29%位居第二,美光以22%位列第三。但在HBM这一AI最关键的存储细分市场,SK海力士以58%的份额遥遥领先,三星和美光各占21%。

SK海力士是英伟达最核心的HBM供应商,供应其约70%的HBM需求。公司于2025年3月全球首发HBM4样品,成为唯一能同时稳定供应HBM3E和HBM4的厂商。
长期以来,SK海力士对大多数美国投资者几乎是“不可触及”的标的,投资韩股需在非交易时段操作,场外ADR流动性极为有限。此次纳斯达克上市彻底改变了这一格局,使美国投资者能够在正常交易时段以无摩擦的方式参与AI存储芯片投资。上市后SK海力士有望纳入纳斯达克100指数,触发被动资金的系统性买入,并吸引套利资金活跃于ADR与韩国本地股之间,从而推动估值向美国同行靠拢。
据彭博报道,SK海力士ADR已获数倍超额认购,基石投资者锁定意向高达70亿美元,约1000家机构投资者参与了管理层推介电话会。然而,盛宝金融首席投资策略师Charu Chanana也发出警告:“SK海力士此时上市为市场带来了大量与AI相关的新增股票供应,而此时正值投资者质疑AI基础设施类股是否涨得过头之际”。
此次发行的认购热度,将成为检验全球投资者对AI存储芯片真实胃口的“试金石”。市场分析师普遍预计,Q2营业利润将达60-70万亿韩元,远高于Q1已创下的37.6万亿韩元历史新高。部分券商如Kiwoom Securities已将预测上调至70万亿韩元,而更早前的共识仅在40万亿韩元左右。DRAM和NAND合约价格预计Q2环比再涨50%-70%以上。交银国际上调SK海力士Q2 DRAM单价预测至环比上升55%,NAND单价环比上升65%。
瑞银预计2026年营业利润将达32.7万亿韩元(较一致预期高27%),2027年更上看62.3万亿韩元(超一致预期54%)。交银国际预计2026-2028年收入分别为370/578/655万亿韩元。汇丰研究数据显示,2026年全年净利润预计达221万亿韩元(约1440亿美元),同比增长415%。销售额预计355万亿韩元(约2310亿美元),同比增长265%。
SK海力士估值显著低于美光。这种估值差距部分源于韩国资本市场长期存在的 “韩国折价”现象——公司治理担忧、地缘政治风险以及韩股流动性不足等因素,导致韩国上市公司估值通常低于美国同行。ADR上市有望推动SK海力士完成估值重估,逐步缩小与美光的估值差距。汇丰银行分析师认为,166美元的发行价对美国投资者具有吸引力,预计挂牌后股价仍有约20%上行空间。
多家投行已放弃传统的市净率估值法,转向市盈率估值。核心逻辑在于:长期协议的普及正在改变内存行业的周期特征,约60%-70%的预期量价已被超过5年的协议锁定,为未来盈利提供了更高的能见度。HBM占DRAM营收比重预计将从2026年的15%上升至2030年的58%。
HBM是SK海力士估值重估的核心资产。公司以58%的HBM市场份额稳居全球第一。HBM4已开始向英伟达Rubin平台加大力度出货。瑞银预测HBM占DRAM营收比重将从2026年的15%上升至2030年的58%。HBM平均售价若进一步上涨,将为2027年获利带来额外助力。
超大规模数据中心客户正与SK海力士签订超过5年的修订版长期协议,针对DDR5及NAND Flash。约60%-70%的预期量价已被锁定,这标志着内存行业正从“周期性商品”向“可预测的结构性资产”转型。交银国际认为,存储器价格之后可能出现的波动将小于之前,并将供不应求的时间判断再推后两个季度到至少2027年第四季度。
公司正积极扩张产能以应对AI驱动的结构性需求:DRAM产能预计2026/27/28年底分别达57.5/65.5/74万片/月;NAND产能预计同期分别达21/23/25.5万片/月。资本开支预计2026/27/28年分别达50.9/85.1/100.8万亿韩元。此次ADR募资将用于半导体工厂建设,包括一座NAND闪存工厂在内的多个新芯片工厂计划,总投资达100万亿韩元。
盛宝金融警告,SK海力士通过ADR募资用于扩大产能,可能加速存储芯片从短缺滑向供过于求。存储芯片行业以“繁荣-萧条”超级周期闻名,当前72%的营业利润率处于极端水平,历史上这种水平往往难以长期维持。若OpenAI、Anthropic等AI公司的商业化不及预期,超大规模企业可能削减AI资本支出。瑞银建议投资者“买入ADR、同时做空SK海力士韩国上市股票”,理由是ADR挂牌后大概率享有溢价。
SK海力士HBM市场份额从去年同期的69%降至58%,三星正在追赶。尽管公司仍保持领先,但份额下滑趋势值得关注。瑞银预计三星在2027年HBM位元市占率可能略领先SK海力士。公司约78%收入来自美国股票配资在线,但先进技术对华出口受限。美中科技竞争可能进一步影响业务。此外,存储三巨头正面临反垄断诉讼。7月8日韩国综合指数盘中跌超3%,SK海力士低开3.8%后翻红。韩国市场的剧烈波动可能通过套利交易传导至ADR价格。
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